Vinicius Balbino 
Intel — executivos da empresa disseram em entrevista que a companhia está muito próxima da TSMC em métricas de desempenho, mas que o principal obstáculo hoje é a escala de produção, não a capacidade tecnológica. A fabricante aposta no uso de High NA EUV combinado ao backside power delivery para reduzir passos de litografia e avançar no nó 14A.
Por que a Intel aposta em High NA EUV
A Intel defende que o uso de High NA EUV combina bem com sua abordagem de backside power delivery porque essa técnica afrouxa exigências de pitch na frente do wafer, permitindo imprimir estruturas com menos etapas. Em termos práticos, High NA amplia resolução e pode cobrir pitches entre 16 nm e 8 nm em um único passe.
Com o circuito de alimentação deslocado para o lado de trás do silício, há mais espaço para transistores na frente do wafer, o que reduz a necessidade de dupla padronização em algumas geometrias e melhora tolerância a erros — argumento central da estratégia da companhia para o 14A.
"Usamos backside power, isso alivia alguns dos requisitos de pitch na parte frontal. E isso permite que você imprima diretamente com High NA. A TSMC tem que rodar pitches muito mais apertados porque não tem backside power e, por isso, precisa usar double patterning EUV."
Escala e concorrência: a lacuna para a TSMC
Apesar da confiança técnica, a direção da Intel reconhece que competir com a TSMC em volume exige tempo. O CTO observou que a TSMC é hoje "um fabricante de wafers muito maior" e que alcançar essa escala será um processo lento e gradual, mesmo que a defasagem em performance seja pequena.
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Tabela do Brasileirão 2026: classificação atualizadaVer classificação, artilharia e próximos jogos →Para a Intel, a diferença em performance pode estar "apenas em alguns por cento" em métricas como desempenho, consumo de energia ou densidade de área, mas o que realmente separa os players é a execução: rendimentos altos e capacidade de rampas rápidas para suportar grandes volumes.
O que você acha? Você acha que a Intel conseguirá recuperar a diferença de escala para a TSMC? Para acompanhar mais, acesse nossa editoria.
Foto: Divulgação
Perguntas Frequentes
O que é High NA EUV e por que a Intel acredita que é a escolha certa?
High NA EUV é uma forma de litografia que aumenta a resolução da luz usada para gravar circuitos, permitindo pitches entre 16 nm e 8 nm em um único passe. A Intel considera a tecnologia adequada pois, combinada ao backside power delivery, reduz etapas de dupla padronização e melhora tolerância de impressão para o node 14A.
Quão perto a Intel está da TSMC em desempenho segundo os executivos?
A Intel afirmou que está "a poucos por cento" da TSMC em métricas de desempenho, potência ou densidade de área, indicando que a lacuna técnica é pequena. Porém, foi destacado que a TSMC mantém vantagem em escala de produção, o que influencia tempo de entrega e capacidade de rampas comerciais rápidas.
O que é backside power delivery e em quais processos a Intel pretende usá-lo?
Backside power delivery é a técnica de transferir o circuito de alimentação para o verso do wafer, liberando espaço na frente onde ficam os transistores. A Intel já fala do uso dessa abordagem para viabilizar o 14A com High NA EUV; relatórios anteriores também mencionaram estudos envolvendo 18A em fases iniciais.
