Thiago Nogueira 
Micron — a empresa expôs um roteiro técnico que não apenas acelera capacidade e banda, mas redesenha a pilha de memória para a era da IA, com implicações diretas em servidores, aceleradores e dispositivos móveis.
DDR6 e LPDDR6: salto de banda e eficiência
O DDR6 prometido pela Micron dobra a largura de banda em relação ao DDR5, visando aplicações de servidor e cargas de IA que demandam mais throughput entre memória e compute. Esse salto muda a equação de desempenho para data centers que buscam maior taxa de transferência por nó.
Paralelamente, o LPDDR6 aparece como evolução para mobile e data center, oferecendo mais de 35% de melhoria em eficiência energética versus LP5. A linha de produtos também inclui módulos RDIMM de alta densidade, com capacidade anunciada de até 1 TB para workloads de IA.
"A tecnologia de hybrid bonding é um foco importante; ela precisa evoluir para ser implementada em grande volume. O ganho de densidade e de interconexão exige conexões cada vez mais próximas, e o hybrid bonding é a solução para esse problema técnico."
vHBM, 1δ e G11: empilhamento vertical e NAND além de 400 camadas
A estratégia de HBM avança em três frentes: padrões tradicionais, designs customizados com base-die e versões verticais (vHBM) que empilham memória diretamente sobre o compute, reduzindo a distância memória–processador e aumentando banda por watt. HBM4 foi citado com stacks que alcançam até 2,8 TB/s por stack.
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Tabela do Brasileirão 2026: classificação atualizadaVer classificação, artilharia e próximos jogos →No nó de processo, o 1δ é apresentado como próximo nó de liderança, oferecendo melhoria de densidade na casa dos mid-20s% sobre 1γ e sendo preparado para suportar HBM5, vHBM e DDR6. Na NAND, o G11 promete volume ramp no 2º semestre de 2027 com mais de 400 camadas, ~2× densidade versus G9 e ganho em velocidade de I/O.
O que você acha? Você acredita que essa combinação de mais banda e empilhamento vertical vai acelerar o desempenho real das aplicações de IA? Para acompanhar mais, acesse nossa editoria.
Foto: Divulgação
Perguntas Frequentes
O que o DDR6 e o LPDDR6 da Micron mudam para servidores e dispositivos móveis?
Micron projetou o DDR6 para oferecer mais de 2× de largura de banda em relação ao DDR5, direcionado a servidores de alta confiabilidade e cargas de IA. O LPDDR6, por sua vez, entrega mais de 35% de eficiência energética versus LP5, mirando tanto mobile quanto data centers que precisam ampliar banda com menor consumo.
Quando o node 1δ deve entrar em produção e quais ganhos ele traz?
Micron programou o ramp do node 1δ para o segundo semestre de 2027, com uma melhoria de densidade de bits na casa dos mid-20s% versus 1γ. O 1δ inclui controle de processo em nível de angstrom, foco em fabricação nos EUA e suporte a produtos como HBM5, vHBM, DDR6 e LPDDR6.
Como o G11 NAND e o vHBM impactam desempenho em aplicações de IA?
O G11 NAND da Micron prevê volume ramp no 2º semestre de 2027 com mais de 400 camadas e aproximadamente 2× densidade versus G9, além de até 1,5× em I/O. O vHBM, com previsões a partir de ~2028, pretende encurtar o caminho memória–compute para aumentar largura de banda por watt e a eficiência de tokens em workloads de IA.
