Gloria Maria 
YMTC — A fabricante chinesa deu um passo concreto na aposta pela arquitetura de célula 4F², divulgando um protótipo que opera a 9600 MT/s e posicionando-se diretamente na corrida por alternativas à litografia EUV ocidental.
Protótipo de alto desempenho e planos de produção
O protótipo da YMTC foi descrito como uma versão com estrutura de transistor de canal vertical (VCT) e célula 4F², projetada para oferecer 9600 MT/s de taxa de transferência. A empresa planeja levar essa versão à produção em massa na Fab 3, conforme o roadmap técnico divulgado.
No mesmo relatório técnico, há menção a um desenvolvimento anterior: desde outubro de 2025 a linha de pesquisa trabalhou em uma segunda geração de 16 Gb LPDDR5 a 7500 MT/s na Fab 2, com capacidade mensal aproximada de 5.000 wafers.
"Pesquisamos 4F² por mais de 20 anos, mas não há um caminho de escala viável." — declaração da Micron traduzida para o contexto técnico.
O contraste entre estratégia e ceticismo
Enquanto YMTC (e rivais como CXMT) investem em 4F² para recuperar densidade sem acesso a EUV, a Micron apresentou um diagnóstico oposto, afirmando que existem problemas fundamentais de escalabilidade nessa arquitetura. Esse contraste divide fornecedores entre tentar superar restrições de DUV e migrar para DRAM 3D.
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Tabela do Brasileirão 2026: classificação atualizadaVer classificação, artilharia e próximos jogos →Além da arquitetura 4F², fabricantes citam o uso de tecnologias complementares, como High-k Metal Gate (HKMG) com materiais como óxido de háfnio, para reduzir vazamento de corrente e melhorar eficiência energética, passos considerados necessários para viabilizar ganhos de velocidade e consumo.
O que você acha? Você acredita que a aposta em 4F² vai se traduzir em vantagem competitiva para fabricantes como a YMTC? Para acompanhar mais, acesse nossa editoria.
Foto: Divulgação
Perguntas Frequentes
Qual é exatamente o protótipo que a YMTC está desenvolvendo e qual velocidade ele atinge?
O protótipo da YMTC é um DRAM baseado na arquitetura de célula 4F² com transistor de canal vertical (VCT) que, segundo a descrição técnica, alcança 9600 MT/s. O desenvolvimento segue após pesquisas em LPDDR5 de 16 Gb a 7500 MT/s na Fab 2, e a produção em massa está prevista para ocorrer na Fab 3.
Por que a Micron considera inviável a escalabilidade do 4F² mesmo após décadas de estudo?
A Micron afirmou que pesquisou o 4F² por mais de 20 anos e que existem "problemas fundamentais com a escala" dessa arquitetura; essa posição reforça o movimento de parte da indústria em priorizar soluções 3D DRAM e tecnologias que evitam limitações impostas pela litografia DUV.
O que a CXMT planeja com o 4F² e qual seria o impacto técnico se conseguir êxito?
A CXMT pretende lançar um RDIMM DDR5 baseado em 4F² antes do fim de 2026; se superar os gargalos técnicos, esse caminho pode permitir reduzir o processo efetivo de DRAM do nó 1c para 1d, segundo análises técnicas mencionadas no panorama do setor.
