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Z2RAM: tecnologia que Patrick Gelsinger apoia como rival em potencial do HBM

Resumo

Z2RAM, solução de memória da Nagare Labs, recebeu apoio público do ex-CEO da Intel Patrick Gelsinger, que destacou sua combinação de densidade, velocidade e baixo consumo. A tecnologia é projetada para ser integrada diretamente ao die lógico, usar duas transistores em vez de capacitor e empilhar verticalmente células, buscando reduzir latência e resolver gargalos em chips de IA.

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Z2RAM: tecnologia que Patrick Gelsinger apoia como rival em potencial do HBM
Foto: Divulgação
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Z2RAM — a tecnologia de memória desenvolvida pela Nagare Labs voltou ao centro do debate sobre eficiência em chips de IA depois do apoio público de Patrick Gelsinger. A proposta pode alterar a arquitetura de memória ao reduzir distâncias de comunicação e atacar os limites de área e consumo que afetam soluções atuais como HBM.

Arquitetura híbrida que busca unir densidade, velocidade e eficiência

Z2RAM foi projetada para replicar vantagens de SRAM e DRAM sem sofrer os mesmos gargalos de escalonamento. Em vez de depender do clássico desenho 1T1C (1 transistor + 1 capacitor), a técnica usa dois transistores e a capacitância de porta do segundo transistor para armazenar carga.

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Essa escolha permite integrar a memória diretamente sobre o die lógico, o que diminui a distância entre dado e processador, reduz latência e promete ganhos em eficiência energética — pontos críticos em workloads de IA que hoje dependem de HBM para largura de banda e densidade.

"Está combinando as melhores características da DRAM, SRAM e flash em um novo dispositivo que é denso como a DRAM, rápido como a SRAM, e escalável como a flash."

Como Z2RAM se posiciona frente aos limites atuais da indústria

O avanço da DRAM e do NAND seguiu caminhos distintos: DRAM alimenta HBM e memória principal, enquanto NAND escalou com mais de 300 camadas para economizar área horizontal. Já o escalonamento do SRAM enfrenta limitações físicas por conta do desenho de seis transistores por célula e vazamentos em tecnologia reduzida.

Z2RAM tenta contornar essas barreiras com empilhamento vertical e integração on-die, usando menos área horizontal e evitando alguns dos desafios de redução do SRAM tradicional. Além do impacto técnico, há movimento de capital: a gestora Playground Global, associada a Patrick Gelsinger, anunciou investimento na Nagare Labs, ampliando o interesse financeiro na peça.

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O que você acha? Essa abordagem pode acelerar a adoção de novas memórias em chips de IA? Para acompanhar mais, acesse nossa editoria.

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Perguntas Frequentes

Como Z2RAM pretende competir com o HBM em chips de IA?

Z2RAM pretende competir com o HBM ao oferecer densidade e desempenho semelhantes integrando a memória diretamente no die lógico; essa integração reduz a distância de comunicação e a latência. A tecnologia combina características de DRAM, SRAM e flash e, segundo avaliações públicas, busca entregar melhor densidade, velocidade e consumo em cenários de IA.

De que forma Z2RAM armazena dados sem o capacitor do 1T1C?

Z2RAM armazena carga usando dois transistores, aproveitando a capacitância da porta do segundo transistor em vez do capacitor tradicional. Esse design elimina o elemento capacitivo do 1T1C e permite um layout empilhado verticalmente, que poupa área horizontal e promete reduzir vazamentos que hoje limitam o escalonamento do SRAM.

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Qual é o envolvimento de Patrick Gelsinger e da Playground Global com a Nagare Labs?

Z2RAM ganhou atenção após o apoio público de Patrick Gelsinger, ex-CEO da Intel, e o aporte da Playground Global, fundo ligado a ele. O investimento indica confiança no potencial da solução para desafios de power, densidade e largura de banda que afetam hoje memórias como o HBM em aplicações de IA.

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POR Leticia Rodrigues
Leticia Rodrigues

Designer de conteúdo e redação visual | Leticia Rodrigues atua na produção e estruturação de conteúdos com foco em organização visual e clareza informativa. Trabalha na criação e adaptação de matérias para melhor leitura digital e experiência do usuário.

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